你了解(jie)單晶爐(lu)嗎？單晶(jing)爐在制(zhi)作工藝(yi)上的拉(lā)制方法(fa)具體該(gāi)怎麽做(zuò)呢？
第一(yi)種：區熔(rong)法
區熔(rong)法的操(cāo)作工藝(yì)就是爲(wèi)了避免(mian)熔體與(yǔ)坩埚間(jiān)的化學(xue)反應造(zào)成的污(wū)染，而發(fa)展起來(lái)的無增(zēng)埚晶體(tǐ)生長工(gong)藝。
這種(zhong)方法隻(zhī)适用于(yu)熔體表(biao)面張力(lì)系數大(dà)的晶體(ti)生長。垂(chuí)直安裝(zhuang)一根多(duo)晶體棒(bang)，用水冷(lěng)射頻感(gǎn)，使應加(jiā)熱使棒(bang)的一端(duān)熔化。依(yi)靠熔體(ti)的表面(miàn)張力和(he)電場産(chan)生的懸(xuán)浮力，使(shi)熔體與(yu)晶棒粘(zhan)附在一(yi)起。把一(yī)根經過(guò)定向處(chu)理的籽(zǐ)晶端部(bù)侵入熔(róng)體，利用(yòng)加熱器(qì)與晶體(ti)熔體的(de)相對運(yun)動使多(duō)晶棒不(bu)斷地熔(rong)化，而另(lìng)一側逐(zhú)漸生成(cheng)晶體。這(zhe)種方法(fǎ)會讓生(shēng)長的晶(jīng)體不會(hui)受坩埚(guo)的污染(rǎn)。
第二種(zhong)：直拉法(fǎ)
直拉法(fa)又稱“恰(qià)克拉斯(sī)基法”（Czochralski）法(fǎ)，簡稱CZ法(fa)。是生長(zhǎng)單晶矽(xī)的主要(yào)方法。該(gāi)法是在(zài)直拉法(fa)(CZ)單晶爐(lú)内，将原(yuan)料（多晶(jīng)矽）裝在(zài)一個坩(gān)埚中使(shi)其加熱(rè)至熔融(rong)狀，向熔(róng)矽中引(yǐn)入籽晶(jīng)，籽晶夾(jia)在提拉(lā)杆的下(xià)端，控制(zhi)溫度合(hé)适。當籽(zǐ)晶和熔(rong)矽達到(dào)平衡時(shí)，熔液會(hui)靠着表(biao)面張力(lì)的支撐(chēng)吸附在(zài)籽晶的(de)下方。此(cǐ)時邊旋(xuán)轉邊提(tí)拉籽晶(jing)，這些被(bei)吸附的(de)熔體也(yě)會随着(zhe)籽晶往(wang)上運動(dòng)。向上運(yun)動的過(guo)程中熔(rong)體溫度(dù)下降，将(jiang)使得熔(rong)體凝結(jié)成晶且(qiě)随着籽(zi)晶方向(xiang)生長成(cheng)單晶棒(bang)。
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